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J-GLOBAL ID：200903083312264453

低温焼成セラミック回路基板

Inventor：
福田 順三

About 福田 順三

, 
深谷 昌志

About 深谷 昌志

, 
荒木 英明

About 荒木 英明


Applicant, Patent owner：
株式会社住友金属エレクトロデバイス

About 株式会社住友金属エレクトロデバイス


Agent (1)： 加古 宗男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995044684
Publication number (International publication number)：1996242062
Application date： Mar. 06, 1995
Publication date： Sep. 17, 1996
Summary：
【要約】【目的】 Ag-Au接合部の信頼性向上とプロセスの簡単化を実現する。【構成】 CaO-SiO2 -Al2 O3 -B2 O3 系ガラス粉末60重量部とアルミナ粉末40重量部とを含むグリーンシート12にビアホール13を形成し、このビアホール13にAg系導体ペースト(ビア)14を充填した後、同じAg系導体の配線パターン15を印刷する。このグリーンシート12を複数枚積層して熱圧着した後、これを低温焼成してセラミック基板11を作製する。このセラミック基板11表面のAg系導体のビア14の露出部分にAg/Pd層16の厚膜ペーストを印刷してその上からAu系導体の配線パターン17を印刷し、これを同時焼成する。上記Ag/Pd層16のペースト組成は、Ag70〜95重量部、Pd粉5〜30重量部よりなる金属成分を100重量部、ホウケイ酸鉛系ガラス粉2〜10重量部及び有機ビヒクルを含むと良い。
Claim (excerpt)：
Ag系の配線導体を低温焼成セラミックと同時焼成して成る低温焼成セラミック回路基板において、前記Ag系の配線導体にAg/Pd層を介してAu系の配線導体が成膜され、前記Ag/Pd層は、Ag70〜95重量部、Pd5〜30重量部よりなる金属成分を100重量部、ホウケイ酸鉛系ガラス2〜10重量部及び有機ビヒクルを含む厚膜ペーストを焼成して成ることを特徴とする低温焼成セラミック回路基板。
IPC (5)：
H05K 3/24 ,  H05K 1/03 610 ,  H05K 1/09 ,  H05K 1/11 ,  H05K 3/46
FI (6)：
H05K 3/24 Z ,  H05K 1/03 610 D ,  H05K 1/09 D ,  H05K 1/09 Z ,  H05K 1/11 N ,  H05K 3/46
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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