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J-GLOBAL ID：200903083339539543

抵抗変化型記憶素子

Inventor： 川野 浩康
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (2)： 山田 正紀 ,  三上 結
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005375259
Publication number (International publication number)：2007180176
Application date： Dec. 27, 2005
Publication date： Jul. 12, 2007
Summary：

【課題】 フォーミングの処理を行わずに動作する工夫が施された抵抗変化型記憶素子を提供する。【解決手段】 上記目的を達成する本発明の抵抗変化型記憶素子は、半導体基板11上に形成されて、印加電圧に応じて前記高抵抗状態と前記低抵抗状態とが切り替わる酸化物の多結晶で形成されるとともに、酸素原子とは異なる異種原子が該酸化物の結晶粒界に結合している抵抗変化型記憶膜13と、前記抵抗変化型記憶膜13を挟んで配備された、該抵抗変化型記憶膜に電圧を印加する一対の電極膜12a、12bとを備えたことを特徴とする抵抗変化型記憶素子。【選択図】 図4

Claim (excerpt)：

印加電圧に応じて、高抵抗状態と該高抵抗状態よりも電流が流れやすい低抵抗状態とに切り替わり、該高抵抗状態と該低抵抗状態とを選択的に保持する抵抗変化型記憶素子において、 半導体基板上に形成されて、印加電圧に応じて前記高抵抗状態と前記低抵抗状態とが切り替わる酸化物の多結晶で形成されるとともに、酸素原子とは異なる異種原子が該酸化物の結晶粒界に結合している抵抗変化型記憶膜と、 前記抵抗変化型記憶膜を挟んで配備された、該抵抗変化型記憶膜に電圧を印加する一対の電極膜とを備えたことを特徴とする抵抗変化型記憶素子。

IPC (1)：

H01L 27/10

FI (1)：

H01L27/10 451

F-Term (6)：

5F083FZ10 ,  5F083GA11 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA42

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 電気的に消去可能で直接上書き可能な複数ビット単一セル記憶素子及びそれらで作製されるアレイ
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願平9-507656   Applicant：エナージーコンバーションデバイセスインコーポレイテッド

Cited by examiner (3)

• 情報を保存するマイクロ電子デバイスとその方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2000-600308   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
• 薄膜キャパシタおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-178685   Applicant：日本電気株式会社
• 誘電体膜、キャパシタ絶縁膜及びスパッタリングターゲット
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-151753   Applicant：株式会社アルバック, 真空冶金株式会社