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J-GLOBAL ID:200903083348742599
半導体発光素子
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
稲岡 耕作 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001027244
Publication number (International publication number):2002232013
Application date: Feb. 02, 2001
Publication date: Aug. 16, 2002
Summary:
【要約】【課題】所望の色の光を得ることができる半導体発光素子を提供する。歩留まりが高い半導体発光素子を提供する【解決手段】リード端子1の上端には、素子搭載部3が設けられている。素子搭載部3の平坦面3a上には、発光ダイオードチップ5がダイボンディングされている。発光ダイオードチップ5の上面と、リード端子2の上端とは、ボンディングワイヤ7で接続されている。発光ダイオードチップ5、素子搭載部3、ボンディングワイヤ7、リード端子2の一部を含む領域には、ほぼ円柱状にモールド成形された第1樹脂6が配されている。第1樹脂6は、発光ダイオードチップ5が発する光を受けて蛍光を発する蛍光体を、均一に封止樹脂に練り込んだものである。発光ダイオードチップ5は、第1樹脂6のほぼ中央に位置している。第1樹脂6の外側は、さらに第2樹脂8によって覆われている。
Claim (excerpt):
素子搭載部を有するリード端子と、上記素子搭載部上に搭載された半導体発光チップと、蛍光体を分散させた樹脂材料を、上記半導体発光チップおよび上記素子搭載部を被覆するようにモールド成形して形成された第1樹脂と、上記第1樹脂の外側を被覆する第2樹脂とを含むことを特徴とする半導体発光素子。
F-Term (9):
5F041AA14
, 5F041AA41
, 5F041CA40
, 5F041DA01
, 5F041DA07
, 5F041DA43
, 5F041DB01
, 5F041FF01
, 5F041FF11
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (1)
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発光ダイオード及びその形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-039262
Applicant:日亜化学工業株式会社
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