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J-GLOBAL ID：200903083382309225

シリコンウエーハ及びその製造方法

Inventor： ツォン リー ,  吉川 淳 ,  茶木 勝弘 ,  桐野 好生 ,  白井 宏 ,  林 健郎
Applicant, Patent owner： 東芝セラミックス株式会社
Agent (1)： 田辺 徹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996308612
Publication number (International publication number)：1998144697
Application date： Nov. 06, 1996
Publication date： May. 29, 1998
Summary：

【要約】【課題】 ボロンを含むシリコンウエーハの表層のボロン濃度を制御するための方法、及び表層部にボロン濃度低減層を形成したシリコンウエーハを提供する。【解決手段】 ボロン濃度が1×1015〜1×1020cm-3のボロン含有シリコンウエーハを用い、水素分圧1mmH2 O〜30atomの雰囲気中、800°C〜1300°Cで、1分間以上アニール処理することを特徴とするシリコンウエーハの製造方法。

Claim (excerpt)：

ボロン濃度が1×1015〜1×1020cm-3のボロン含有シリコンウエーハを用い、水素分圧1mmH2 O〜30atomの雰囲気中、800°C〜1300°Cで、1分間以上アニール処理することを特徴とするシリコンウエーハの製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/324 ,  C30B 33/02

FI (2)：

H01L 21/324 X ,  C30B 33/02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特開昭54-029560
  
• 半導体基板およびその熱処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-038698   Applicant：株式会社東芝
• 特開平4-093031
  
• 特開昭63-070515
  
• 特開昭54-043463