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J-GLOBAL ID：200903083408706163

In2O3-SnO2前駆体塗布液およびその製造方法ならびにIn2O3-SnO2薄膜の製造方法

Inventor： 福井 俊巳 ,  ▲ちょ▼ 松竹 ,  内田 文生 ,  高村 誠
Applicant, Patent owner： 株式会社関西新技術研究所 ,  富士化学株式会社 ,  ローム株式会社
Agent (1)： 間宮 武雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000133559
Publication number (International publication number)：2001319530
Application date： May. 02, 2000
Publication date： Nov. 16, 2001
Summary：

【要約】【課題】 ゾル-ゲル法を用いて基体の表面にITO薄膜を形成する場合に、安定性に優れた高純度の塗布液であって成膜性にも優れ膜厚の増加が容易である塗布液を調製することができ、高品位のITO薄膜を得ることを可能にする塗布液の製造方法を提供する。【手段】 硝酸インジウムおよび錫アルコキシドを出発原料とし、エチレングリコール、エチレングリコールモノアルキルエーテル、プロピレングリコールおよびプロピレングリコールモノアルキルエーテルからなる群より選ばれた1種もしくは2種以上の溶剤を用いて出発原料を溶解させ反応させた後、得られた溶液に有機高分子を添加する。

Claim (excerpt)：

In2O3-SnO2前駆体酸化物を含有するIn2O3-SnO2前駆体塗布液において、エチレングリコール、エチレングリコールモノアルキルエーテル、プロピレングリコールおよびプロピレングリコールモノアルキルエーテルからなる群より選ばれた1種もしくは2種以上の溶剤を主成分として含み、前記前駆体酸化物に対して0.1重量%〜10重量%の割合で有機高分子を含有することを特徴とするIn2O3-SnO2前駆体塗布液。

IPC (2)：

H01B 13/00 503 ,  C01G 19/00

FI (2)：

H01B 13/00 503 B ,  C01G 19/00 A

F-Term (4)：

5G323BA04 ,  5G323BA05 ,  5G323BB01 ,  5G323BC03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 透明導電膜形成用塗布液および透明導電膜の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-204996   Applicant：旭硝子株式会社
• In2O3-SnO2前駆体塗布液の製造方法およびIn2O3-SnO2薄膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-192783   Applicant：株式会社関西新技術研究所