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J-GLOBAL ID:200903098909326546
In2O3-SnO2前駆体塗布液の製造方法およびIn2O3-SnO2薄膜の製造方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
間宮 武雄
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998192783
Publication number (International publication number):2000026120
Application date: Jul. 08, 1998
Publication date: Jan. 25, 2000
Summary:
【要約】【課題】 ゾル-ゲル法を用いて、耐熱性の低い基体上や膜特性に悪影響を与える元素を含む基板の表面にも良好な微細組織と優れた特性を有するIn2O3-SnO2薄膜をより低温で形成できる方法を提供する。【手段】 硝酸塩を出発原料としエチレングリコール、エチレングリコールモノアルキルエーテル、プロピレングリコールおよびプロピレングリコールモノアルキルエーテルからなる群より選ばれた1種もしくは2種以上の溶剤を用いてIn2O3-SnO2塗布液を調製し、その塗布液を基体の表面に塗布して塗布膜を形成し、塗布膜に対し波長が280nm以下である紫外光を照射して、塗布膜中に金属インジウムおよび/または金属錫を析出させた後、塗布膜に対し波長が600nm以下であるレーザ光を照射してIn2O3-SnO2を結晶化させる。
Claim (excerpt):
硝酸インジウムを出発原料としてIn2O3-SnO2前駆体塗布液を製造する方法において、エチレングリコール、エチレングリコールモノアルキルエーテル、プロピレングリコールおよびプロピレングリコールモノアルキルエーテルからなる群より選ばれた1種もしくは2種以上の溶剤を用いることを特徴とするIn2O3-SnO2前駆体塗布液の製造方法。
IPC (2):
C01G 19/00
, H01B 13/00 503
FI (2):
C01G 19/00 A
, H01B 13/00 503 Z
F-Term (5):
5G323BA04
, 5G323BA05
, 5G323BB01
, 5G323BB02
, 5G323BC03
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (8)
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透明導電膜形成用組成物および透明導電膜の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-105583
Applicant:松下電器産業株式会社
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透明導電膜の形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-329906
Applicant:三星電管株式會社
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特開昭57-067048
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特開平4-255768
-
金属酸化物皮膜抵抗器およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-176801
Applicant:松下電器産業株式会社
-
透明導電膜形成用インキ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-344515
Applicant:日本写真印刷株式会社
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透明導電膜とその形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-333282
Applicant:旭硝子株式会社
-
金属酸化物薄膜の形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-345322
Applicant:株式会社関西新技術研究所
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