薄膜キャパシタおよび半導体記憶装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996063539
Publication number (International publication number)：1997260603
Application date： Mar. 19, 1996
Publication date： Oct. 03, 1997
Summary：

【要約】【課題】高い容量密度と優れた絶縁特性を有し、シリコン集積回路に適用可能な薄膜キャパシタを提供すること。【解決手段】基板上に、下部電極、誘電体層、及び上部電極を順次積層してなる薄膜キャパシタであって、前記下部電極が、レニウム、ルテニウム、オスミウム、ロジウム、イリジウム、パラジウム、白金、及び金からなる群から選ばれる少なくとも1種の貴金属元素と、ハフニウム、ニオブ、タンタル、モリブデン、及びタングステンからなる群から選ばれる少なくとも1種の高融点金属元素とを含む非晶質合金を主体とすること特徴とする。

Claim (excerpt)：

基板上に、下部電極、誘電体層、及び上部電極を順次積層してなる薄膜キャパシタであって、前記下部電極が、レニウム、ルテニウム、オスミウム、ロジウム、イリジウム、パラジウム、白金、及び金からなる群から選ばれる少なくとも1種の貴金属元素と、ハフニウム、ニオブ、タンタル、モリブデン、及びタングステンからなる群から選ばれる少なくとも1種の高融点金属元素とを含む非晶質合金を主体とすることを特徴とする薄膜キャパシタ。

IPC (4)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (2)：

H01L 27/10 651 , H01L 27/04 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

特開平1-217956
電極基板の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-294772 Applicant：キヤノン株式会社
半導体装置および半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-307466 Applicant：松下電器産業株式会社

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