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J-GLOBAL ID：200903083499283294

フォトレジスト用フェノール樹脂の製造方法

Inventor： 有田 靖 ,  実藤 徹 ,  西佐古 宏志 ,  大西 治
Applicant, Patent owner： 住友デュレズ株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998162115
Publication number (International publication number)：1999349654
Application date： Jun. 10, 1998
Publication date： Dec. 21, 1999
Summary：

【要約】【課題】 従来のフォトレジスト用フェノ-ル樹脂に比較して、より高耐熱性であり、より高解像度・高感度であるフォトレジスト用フェノ-ル樹脂の製造方法を提供すること。【解決手段】 フェノ-ル類(P)の組成がメタクレゾ-ル55-98重量%,パラクレゾ-ル1-20重量%,キシレノ-ル及び/又はトリメチルフェノ-ル1-25重量%であり、アルデヒド類(A)の組成がホルムアルデヒドとアルケニル基を含むアルデヒドで、その重量比が1/9-9/1であり、酸触媒の存在下フェノ-ル類にアルケニル基を含むアルデヒドを反応させた後にホルムアルデヒドを反応させ、反応終了後にアミン類で酸触媒を中和した後、水洗することにより酸触媒量が実使用において影響ない程度に少量になるまで除去することを特徴とするフォトレジスト用フェノ-ル樹脂の製造方法。

Claim (excerpt)：

フェノ-ル類(P)の組成がメタクレゾ-ル55-98重量%,パラクレゾ-ル1-20重量%,キシレノ-ル及び/又はトリメチルフェノ-ル1-25重量%であり、アルデヒド類(A)の組成がホルムアルデヒドとアルケニル基を含むアルデヒドで、その重量比が1/9-9/1であり、酸触媒の存在下フェノ-ル類にアルケニル基を含むアルデヒドを反応させた後にホルムアルデヒドを反応させ、反応終了後にアミン類で酸触媒を中和した後、水洗することにより酸触媒量が実使用において影響ない程度に少量になるまで除去することを特徴とするフォトレジスト用フェノ-ル樹脂の製造方法。

IPC (4)：

C08G 8/12 ,  C08G 8/04 ,  G03F 7/023 511 ,  G03F 7/032

FI (4)：

C08G 8/12 ,  C08G 8/04 ,  G03F 7/023 511 ,  G03F 7/032

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (12)

• ポジ型フォトレジスト組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-180768   Applicant：富士写真フイルム株式会社
• フェノールホルムアルデヒド縮合体の分画およびそれから製造されるフォトレジスト組成物
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願平9-512856   Applicant：クラリアント・インターナショナル・リミテッド
• 特開昭62-172341
  
• 特開昭64-090250
  
• 特開平2-272457
  
• 不純金属成分の低減された感電離放射線性樹脂組成物の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-258823   Applicant：富士写真フイルム株式会社, 富士ハントエレクトロニクステクノロジ-株式会社
• 特開平2-222409
  
• フェノール樹脂の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-239617   Applicant：住友デュレズ株式会社
• 特開昭64-090250
  
• 特開平2-272457
  
• 特開昭62-172341
  
• 特開平2-222409