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J-GLOBAL ID：200903083508571370

窒化ガリウム系化合物半導体チップの製造方法

Inventor： 中村 修二 ,  山田 元量
Applicant, Patent owner： 日亜化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993288365
Publication number (International publication number)：1995142763
Application date： Nov. 17, 1993
Publication date： Jun. 02, 1995
Summary：

【要約】【目的】 サファイアを基板とする窒化物半導体ウエーハをチップ状に分離するに際し、切断面のクラック、チッピングの発生を防止し、歩留良く、所望の形状、サイズを得る窒化物半導体チップの製造方法を提供することにあり、特に、電極を設けるためにエッチングされた窒化物半導体の結晶性を損ねることなく、数多くのチップを得る。【構成】 予め電極を設けるためにエッチングされた窒化ガリウム系化合物半導体層2とは別に、新たに窒化ガリウム系化合物半導体層2にエッチングを行い、第一の割り溝11を所望のチップ形状で線状に形成し、その第一の割り溝11の上から、新たに第二の割り溝22をサファイア基板1に達する深さ以上で線状に形成して、第一の割り溝の線幅(W1)よりも、第二の割り溝の線幅(W2)を狭く調整した後、チップ状に分離する。

Claim (excerpt)：

予めp型層あるいはn型層の電極形成面が露出するようにエッチングされた窒化ガリウム系化合物半導体をサファイア基板上に備えた窒化ガリウム系化合物半導体ウエーハをチップ状に分離する方法において、前記窒化ガリウム系化合物半導体の電極形成面のエッチングとは別に、新たに窒化ガリウム系化合物半導体面にエッチングを行い、第一の割り溝を所望のチップサイズで線状に形成する工程と、前記第一の割り溝の上から、さらに第二の割り溝をサファイア基板に達する深さ以上で線状に形成すると共に、第一の割り溝の線幅(W1)よりも、第二の割り溝の線幅(W2)を狭く調整する工程と、前記第二の割り溝に沿って前記ウエーハをチップ状に分離する工程とを具備することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体チップの製造方法。

IPC (3)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/301 ,  H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 窒化ガリウム系発光素子および製造法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-077251   Applicant：旭化成工業株式会社
• 特開昭64-064811