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J-GLOBAL ID：200903083526874895

有機半導体発光装置

Inventor：
ジョン・レニー

About ジョン・レニー


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999273222
Publication number (International publication number)：2001102624
Application date： Sep. 27, 1999
Publication date： Apr. 13, 2001
Summary：
【要約】【課題】レーザ光の放出波長を広い範囲で変化させる。【解決手段】n型クラッド層4と、このn型クラッド層4の上に形成され、有機材料から構成される有機活性層5と、この有機活性層5の上に形成されたp型クラッド層6と、このp型クラッド層6の上に形成されたSiO2ブロック層7と、このSiO2ブロック層7の上に形成され、透明な有機導電材料により構成されたバイアス層コンタクト11とを具備してなり、n型クラッド層4とp型クラッド層6の間で電流を流すことにより有機活性層5中で光を発生させ、n型クラッド層4とバイアス層コンタクト11との間に電圧を与えることにより有機活性層5にひずみを与える。
Claim (excerpt)：
有機材料から構成される有機活性層と、この有機活性層の下面に形成され、該有機活性層にキャリアを供給する下部キャリア拡散層と、前記有機活性層の上面に形成され、前記下部キャリア拡散層とは逆導電型のキャリアを該有機活性層に供給する上部キャリア拡散層と、この上部キャリア拡散層の上に形成された絶縁層と、この絶縁層の上に形成され、透明な導電材料により構成された導電層とを具備してなり、前記下部キャリア拡散層と前記上部キャリア拡散層の間で電流を流すことにより前記有機活性層中で光を発生させ、前記下部キャリア拡散層と前記導電層との間に電圧を与えることにより前記有機活性層にひずみを与えることを特徴とする有機半導体発光装置。
IPC (2)：
H01L 33/00 ,  H05B 33/12
FI (3)：
H01L 33/00 A ,  H05B 33/12 Z ,  H05B 33/12 A
F-Term (17)：
3K007AB00 ,  3K007BB00 ,  3K007CB01 ,  3K007DA00 ,  3K007DB03 ,  3K007EB00 ,  3K007FA01 ,  5F041CA34 ,  5F041CA45 ,  5F041CA48 ,  5F041CA50 ,  5F041CA57 ,  5F041CA82 ,  5F041CA83 ,  5F041CA88 ,  5F041CA92 ,  5F041CB36
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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