半導体素子

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：上柳雅誉 , 藤綱英吉 , 須澤修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002191088
Publication number (International publication number)：2004039690
Application date： Jun. 28, 2002
Publication date： Feb. 05, 2004
Summary：

【課題】本発明の目的は、高性能、高集積度、高速動作、低駆動電圧、低消費電力、低コストの半導体素子を実現することである。【解決手段】半導体基板11上にバルク半導体素子12が形成され、素子間絶縁膜13をはさんで薄膜トランジスタ14が形成され、バルク半導体素子12は素子間絶縁膜13に開孔されたコンタクトホール15を介して薄膜トランジスタ14と導通している。または、絶縁体基板上に第1層めの薄膜トランジスタが形成され、素子間絶縁膜をはさんで第2層めの薄膜トランジスタが形成され、第1層めの薄膜トランジスタは素子間絶縁膜に開孔されたコンタクトホールを介して第2層めの薄膜トランジスタと導通している。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

半導体基板上にバルク半導体素子が形成され、素子間絶縁膜をはさんで薄膜トランジスタが形成され、前記バルク半導体素子は前記素子間絶縁膜に開孔されたコンタクトホールを介して前記薄膜トランジスタと導通していることを特徴とする、半導体素子。

IPC (4)：

H01L27/00 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L29/786

FI (3)：

H01L27/00 301A , H01L27/08 102E , H01L29/78 613Z

F-Term (31)：

5F048AA01 , 5F048AC01 , 5F048AC04 , 5F048BA02 , 5F048BA09 , 5F048BA16 , 5F048BC16 , 5F048BC18 , 5F048BF02 , 5F048BF12 , 5F048BF16 , 5F048CB02 , 5F048CB03 , 5F048CB04 , 5F110AA01 , 5F110AA04 , 5F110AA09 , 5F110BB04 , 5F110BB11 , 5F110CC02 , 5F110DD05 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG45 , 5F110GG47 , 5F110HJ01 , 5F110HJ12 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110PP03 , 5F110QQ11

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

3次元回路素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-192088 Applicant：日本板硝子株式会社
半導体装置とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-352266 Applicant：ソニー株式会社
特開昭63-040343

Show all

Return to Previous Page