化合物半導体装置、及びその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：梅田勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997016100
Publication number (International publication number)：1998214847
Application date： Jan. 30, 1997
Publication date： Aug. 11, 1998
Summary：

【要約】【課題】コンタクト抵抗が低く、かつ、熱安定性に優れた信頼性の高いオ-ミック電極を有する高性能HBTを提供し、また、その容易で低コストな作製方法を提供する。【解決手段】オーミック電極としてNiとTiからなる金属間化合物を用い、HBTのオーミック電極を同時に、また、逆メサ構造上に自己整合的に、形成する。

Claim (excerpt)：

半絶縁性半導体基板上に、コレクタ・コンタクト層、コレクタ層、ベース層、エミッタ層の主要な半導体層が順次積層された縦型構造からなるヘテロ接合型バイポーラトランジスタにおいて、オーミック電極は少なくともニッケルとチタンからなる金属間化合物を含む電極材料で構成されることを特徴とする化合物半導体装置。

IPC (4)：

H01L 21/331 , H01L 29/73 , H01L 21/28 301 , H01L 29/43

FI (3)：

H01L 29/72 , H01L 21/28 301 H , H01L 29/46 H

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

p型化合物半導体用オーミック電極及びそれを用いたバイポーラトランジスタ、並びにそれらの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-045836 Applicant：松下電器産業株式会社
特開平2-156641
オーミック電極
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-215757 Applicant：日本電気株式会社

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