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J-GLOBAL ID：200903083554567167

高周波複合回路基板

Inventor： 深水 則光 ,  中俣 克朗
Applicant, Patent owner： 京セラ株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997268284
Publication number (International publication number)：1999112110
Application date： Oct. 01, 1997
Publication date： Apr. 23, 1999
Summary：

【要約】【課題】低背化でき、共振用電極間の間隔を十分に確保して高Q及び低損失の共振器を基板のキャビティ内の任意の位置に配置可能とする。【解決手段】多層セラミック基板の主面に回路素子2を収容する凹部1が形成され、該凹部1内にセラミックからなる共振器ブロック3を設置し、共振器ブロック3には第1の接地電極3aが内蔵され、共振器ブロック3下方の多層セラミック基板本体には、第1の接地電極3aに対応する共振用電極3bと共振用電極3bの下部に配置された第2の接地電極3dとが設けられ、共振用電極3bと第1,第2の接地電極3a,3dによりストリップライン型共振器が構成されている。

Claim (excerpt)：

多層セラミック基板の主面に回路素子を収容する凹部が形成され、該凹部内にセラミックからなる共振器ブロックを設置し、該共振器ブロックには第1の接地電極が内蔵され、前記共振器ブロック下方の多層セラミック基板本体には、前記第1の接地電極に対応する共振用電極と該共振用電極の下部に配置された第2の接地電極とが設けられていることを特徴とする高周波複合回路基板。

IPC (5)：

H05K 1/02 ,  H01L 23/522 ,  H05K 1/18 ,  H05K 3/46 ,  H05K 9/00

FI (6)：

H05K 1/02 C ,  H05K 1/02 N ,  H05K 1/18 Q ,  H05K 3/46 Q ,  H05K 9/00 R ,  H01L 23/52 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 高周波回路用モジュール
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-064019   Applicant：三洋電機株式会社
• 電圧制御発振器
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-068530   Applicant：松下電器産業株式会社