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J-GLOBAL ID：200903083573582029

薄膜電池一体型素子及びその製造方法

Inventor： 尹 榮 秀 ,  鄭 炯 鎭 ,  崔 原 國 ,  尹 錫 鎭
Applicant, Patent owner： 財団法人韓国科学技術研究院
Agent (1)： 津国 肇 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999226005
Publication number (International publication number)：2000106366
Application date： Aug. 10, 1999
Publication date： Apr. 11, 2000
Summary：

【要約】【課題】 薄膜電池の実質的な占有面積を低減し、かつリード線を使用することなく電気的な連結を可能とする、薄膜電池を備えた素子及びその製造方法を提供すること。【解決手段】 素子20と、上記素子を被覆する電気的に不導体な絶縁層40と、上記素子上又はその側面に垂設された一対の素子端子50と、上記素子端子上にその上端から上記絶縁層の最上面の位置まで垂設された導電性を有する一対の垂直導体60と、上記一対の垂直導体上に形成された負極薄膜と正極薄膜とを備える薄膜電池30とを備えるように構成した。また、上記絶縁層40上に水平に離間して上記一対の垂直導体60上に配設され、上記薄膜電池の正極及び負極と電気的に連結する一対の電極導体70を備えるように構成した。

Claim (excerpt)：

素子上に薄膜電池を電気的に連結するように積層した薄膜電池一体型素子であって、素子と、上記素子上に載置された電気的に不導体な絶縁層と、上記素子上又はその側面に垂設された一対の導電体と、上記一対の導電体と電気的に連結し上記絶縁層を介して上記素子上に載置された薄膜電池と、を備えたことを特徴とする薄膜電池一体型素子。

IPC (3)：

H01L 21/3205 ,  H01M 6/18 ,  H01M 10/04

FI (3)：

H01L 21/88 A ,  H01M 6/18 Z ,  H01M 10/04 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭59-025531
  
• 半導体集積回路装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-315806   Applicant：株式会社日立製作所