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J-GLOBAL ID：200903032861314345

半導体集積回路装置およびその製造方法

Inventor： 菊島 健一 ,  大塚 文雄
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 筒井 大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996315806
Publication number (International publication number)：1998163440
Application date： Nov. 27, 1996
Publication date： Jun. 19, 1998
Summary：

【要約】【課題】 キャパシタを備えている多層配線層の平坦化および微細加工化ができ、しかも電気的な特性が優れている半導体集積回路装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 複数のCMOSFETなどの半導体素子が形成されている半導体基板1の上に絶縁膜11を形成した後、絶縁膜11の選択的な領域にコンタクトホールを形成する工程と、コンタクトホールに窒化チタン膜14とタングステン膜15との積層膜または窒化チタン膜14からなるプラグを埋め込む工程と、プラグの上にキャパシタの下部電極16を形成した後、下部電極16を含む半導体基板1の上にキャパシタの誘電体膜となる絶縁膜17を堆積した後、キャパシタの上部電極18を形成する工程とを有するものである。

Claim (excerpt)：

キャパシタの下部電極の下部に設けられているコンタクトホールに埋め込まれているプラグと前記コンタクトホールとの接触部が窒化チタン膜となっていることを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (9)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 21/8244 ,  H01L 27/11 ,  H01L 29/43

FI (5)：

H01L 27/10 621 Z ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/08 321 F ,  H01L 27/10 381 ,  H01L 29/46 R

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• タングステンコンタクトコア・スタックキャパシタおよびその成形方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-314390   Applicant：マイクロン・テクノロジー・インコーポレイテッド
• 半導体集積回路コンデンサおよびその電極構造
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-097071   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
• 微小電子回路構造を形成する方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-025267   Applicant：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド