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J-GLOBAL ID：200903083625307862
ショットキーバリア半導体装置とその製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
三好 秀和 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997351440
Publication number (International publication number)：1998233515
Application date： Dec. 19, 1997
Publication date： Sep. 02, 1998
Summary：
【要約】【課題】 順電圧印加時にVF を増大させず、逆電圧印加時におけるSBD接合部のリーク電流を減少させる。【解決手段】 第1導電型の半導体基板と、前記半導体基板に複数配列された第2導電型の拡散層と、前記半導体基板及び前記拡散層と接触するショットキーバリアメタル層とを有し、この半導体基板主表面からの深さをXとおいた場合、X≧0.4μmにおいて拡散層の幅が最大値Lpmaxをとるようにする。表面近くの第2導電型の拡散層の幅Lpnを狭く、深さ0.4μm以上での拡散層の最大幅Lpnmaxを広くすることができるため、逆電圧印加時におけるSBD接合部の逆方向リーク電流を小さくするとともに、SBD接合部の有効面積を増大させることができるので、順電圧印加時における順方向電圧降下VFを下げることができる。
Claim (excerpt)：
第1導電型の半導体基板と、前記半導体基板に複数配列された第2導電型の拡散層と、前記半導体基板及び前記拡散層と接触するショットキーバリアメタル層とを有し、この半導体基板主表面からの深さをXとおいた場合、X≧0.4μmにおいて、前記拡散層の幅は最大値Lpnmaxをとることを特徴とするショットキーバリア半導体装置。
IPC (2)：
H01L 29/872
, H01L 29/861
H01L 29/48 F
, H01L 29/48 P
, H01L 29/91 C
Cited by examiner (9)
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