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J-GLOBAL ID:200903083692230882

液浸リソグラフィーに用いるレジスト積層体

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (2): 朝日奈 宗太 ,  秋山 文男
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2005010900
Publication number (International publication number):2006133716
Application date: Jan. 18, 2005
Publication date: May. 25, 2006
Summary:
【課題】193nm以上の露光光に対して透明で、さらに液浸露光時において、目的の形状の微細パターンを欠陥なくかつ再現良く形成可能なレジスト積層体を提供する。【解決手段】基材上にフォトレジスト層(L1)と透明な保護層(L2)を有し、該保護層(L2)が積層体の最表面に形成するレジスト積層体であって、保護層(L2)が波長193nm以上の紫外光での吸光係数が1.0μm-1以下、現像液溶解速度が50nm/sec以上、かつ純水に対する溶解速度が10nm/min以下であるレジスト積層体。【選択図】図1
Claim (excerpt):
基材上にフォトレジスト層(L1)と保護層(L2)を有し、該保護層(L2)が積層体の最表面側に形成されており、かつ保護層(L2)が、 (1)波長193nm以上の紫外光での吸光係数が1.0μm-1以下、 (2)現像液溶解速度が50nm/sec以上、かつ (3)純水に対する溶解速度が10nm/min以下 であることを特徴とする露光紫外光が波長193nm以上である液浸リソグラフィー用レジスト積層体。
IPC (3):
G03F 7/11 ,  G03F 7/039 ,  H01L 21/027
FI (3):
G03F7/11 501 ,  G03F7/039 601 ,  H01L21/30 575
F-Term (14):
2H025AA00 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB41 ,  2H025DA02 ,  2H025DA03 ,  2H025FA03 ,  2H025FA17 ,  5F046JA22
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (1)

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