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J-GLOBAL ID:200903083765073128

サブフタロシアニン化合物の製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (3): 成瀬 勝夫 ,  中村 智廣 ,  佐野 英一
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2004105280
Publication number (International publication number):2005289854
Application date: Mar. 31, 2004
Publication date: Oct. 20, 2005
Summary:
【課題】 高純度、高収率で、工業的かつ簡便なサブフタロシアニン化合物の製造方法を提供する。【解決手段】 下記一般式(1)で示されるサブフタロシアニン化合物の製造方法において、1,2-ジシアノベンゼン誘導体と硼素化合物を溶媒中で加熱させて反応させる方法であって、サブフタロシアニン化合物の生成が生起する温度までの平均の昇温速度が0.1〜5°C/minであることを特徴とする製造方法。 【化1】(但し、Xはハロゲン原子、アルキル基又はアリール基を、環Y1〜Y3はそれぞれ置換基を有していてもよいベンゼン環又はナフタレン環を示す。)【選択図】 なし
Claim (excerpt):
1,2-ジシアノベンゼン誘導体と硼素化合物を溶媒中で加熱させ反応させて、下記一般式(1)で示されるサブフタロシアニン化合物を製造する方法において、サブフタロシアニン化合物の生成反応が生起する温度より50°C低い温度から、生成反応が生起する温度に達するまでの平均の昇温速度を0.1〜5°C/minとすることを特徴とするサブフタロシアニン化合物の製造方法。
IPC (4):
C07D487/22 ,  C09B47/00 ,  C09B47/067 ,  H05B33/14
FI (4):
C07D487/22 ,  C09B47/00 ,  C09B47/067 ,  H05B33/14 B
F-Term (11):
3K007DB03 ,  3K007FA00 ,  4C050AA03 ,  4C050BB04 ,  4C050CC04 ,  4C050DD01 ,  4C050EE06 ,  4C050FF05 ,  4C050GG01 ,  4C050HH01 ,  4C050PA20
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (10)
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Cited by examiner (3)
Article cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
  • Synthesis, 1996, No.9, p.1139-1151
  • European Journal of Organic Chemistry, 2003, No.14, p.2547-2551

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