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J-GLOBAL ID：200903083769788121

金属基板及びその製造方法

Inventor： 今村 一彦 ,  中嶋 幸男
Applicant, Patent owner： 富士電機株式会社
Agent (1)： 山口 巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996142431
Publication number (International publication number)：1997326536
Application date： Jun. 05, 1996
Publication date： Dec. 16, 1997
Summary：

【要約】【課題】パワー回路導体は初めから厚く、制御回路導体はファインパターンの形成が容易なように薄く、両導体の絶縁層を異なる絶縁材特性とする。【解決手段】ベース金属1の表面にパワー回路絶縁層2と制御回路絶縁層3とを形成する。パワー回路絶縁層2の上にパワー回路導体4を積層し、制御回路絶縁層3の上に一層又は多層の制御回路導体5を積層する。パワー回路導体4を金属板のプレス打ち抜きで厚く形成し、相互間に連結絶縁材6を介在させて仮固定しておく。制御回路導体5は印刷配線で薄く形成する。パワー回路絶縁層2は熱伝導率の大きいフィラーエポキシ樹脂が適し、制御回路絶縁層3は誘電率の小さいガラスエポキシ樹脂が適する。全体を真空加圧プレスで固着する。

Claim (excerpt)：

ベース金属の表面に相互に絶縁材特性の異なるパワー回路絶縁層の領域と制御回路絶縁層の領域とを形成し、パワー回路絶縁層の上にパワー回路導体を積層、制御回路絶縁層の上に制御回路導体を積層し、パワー回路導体の厚みを制御回路導体の厚みより厚くし、ベース金属と平行に並ぶ複数の導体からなるパワー回路導体の相互間に連結絶縁材を介在させることを特徴とする金属基板。

IPC (3)：

H05K 1/05 ,  H05K 3/44 ,  H05K 3/46

FI (3)：

H05K 1/05 A ,  H05K 3/44 Z ,  H05K 3/46 Q

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平4-332188
  
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-221917   Applicant：富士電機株式会社
• 特表平7-501662