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J-GLOBAL ID：200903083777000479
原子層成長による薄膜形成方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
須山 佐一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002187362
Publication number (International publication number)：2003051450
Application date： Sep. 11, 1992
Publication date： Feb. 21, 2003
Summary：
【要約】 (修正有)【課題】 面方位による成長速度の差を大きくすることができるとともに異常成長の発生等がなく、従来に較べて形状制御性を向上させることができる原子層成長による薄膜形成方法を提供する。【解決手段】 エッチングにより基板3上に凹部を形成し、この基板3を真空容器1内のサセプタ2上に載置し、ランプ4でこの基板3を所定温度に加熱する。そして、バルブ7を開閉し、交互に原料ガスを供給して原子層成長により基板3の凹部内に薄膜を形成し、量子細線および量子箱を形成する。
Claim (excerpt)：
面方位を有する基板の結晶面に選択的に薄膜を形成するにあたり、それぞれ薄膜を構成する異なった原料物質を含む少なくとも2種類の原料ガスを所定の時間間隔を設けて交互に供給するとともに、成長温度を所望の結晶面にのみ選択的に原子層成長が行われる温度に設定して、所望の結晶面にのみ原子層成長により選択的に薄膜を形成することを特徴とする原子層成長による薄膜形成方法。
F-Term (9)：
5F045AA03
, 5F045AB10
, 5F045AB17
, 5F045AC02
, 5F045AC07
, 5F045AC08
, 5F045AD09
, 5F045BB00
, 5F045DA56
