半導体加速度センサ素子及びその製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：安藤淳二 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998258871
Publication number (International publication number)：2000088876
Application date： Sep. 11, 1998
Publication date： Mar. 31, 2000
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】センサチップへの外部からの熱ストレスを緩和し、温度特性に優れ、高性能な半導体加速度センサ素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】枠状のフレーム1と、中央部2aと梁部2bとを有する撓み部2と、重り部3と、支持部材6とを有する。撓み部2は、中央部2aの外周縁から、半導体加速度センサ素子の撓み部2形成面の中心線C-C’,D-D’上を外して四方に延在し、半導体加速度センサ素子の撓み部2形成面に対して回転対称となるように梁部2bが設けられている。また、中央部2aにはネック部3aを介して重り部3が連結され、これにより重り部3と梁部2bとの間には切り込み溝4が構成される。また、重り部3を切り込み部5を介して包囲するとともに、フレーム1の下面側を支持するように支持部材6が設けられている。なお、切り込み部5は切り込み溝4に連通するように構成されている。

Claim (excerpt)：

中央部と該中央部から延在する梁部とを有する撓み部と、該撓み部を支持するフレームと、前記中央部にネック部を介して連結される重り部と、前記梁部と前記重り部の間の所定位置に設けられた切り込み溝と、該重り部を切り込み部を介して包囲するとともに前記フレームの一面側を支持する支持部材とを有し、前記切り込み部が前記切り込み溝に連通して成る半導体加速度センサ素子において、前記梁部を前記撓み部形成面の中心線上に位置しないように配置するとともに、前記撓み部を、該撓み部形成面に対して回転対称となるように構成したことを特徴とする半導体加速度センサ素子。

IPC (3)：

G01P 15/12 , G01P 15/00 , H01L 29/84

FI (3)：

G01P 15/12 , G01P 15/00 K , H01L 29/84 A

F-Term (10)：

4M112AA02 , 4M112BA07 , 4M112CA22 , 4M112CA36 , 4M112DA04 , 4M112DA07 , 4M112DA12 , 4M112EA03 , 4M112FA05 , 4M112FA09

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

半導体加速度センサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-257036 Applicant：松下電工株式会社
半導体加速度センサの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-100782 Applicant：松下電工株式会社
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-261940 Applicant：日産自動車株式会社

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