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J-GLOBAL ID：200903083786859504

基板の研磨後処理方法およびこれに用いる研磨装置

Inventor： 早川 秀明
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 小池 晃 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993279384
Publication number (International publication number)：1995135192
Application date： Nov. 09, 1993
Publication date： May. 23, 1995
Summary：

【要約】【目的】 化学機械研磨処理後のパーティクル・レベルを大幅に低減可能な研磨後処理方法および研磨装置を提供する。【構成】 化学機械研磨→ウェハ反転待機→物理洗浄→薬液洗浄(スピン洗浄)→リンスに至る一連の工程を、ウェハを乾燥させずに行う。このために、研磨ユニットII内のウェハ・マウント部9,11をウェハの湿潤保持を可能な構成とし、また研磨ユニットII、洗浄ユニットIII 、リンス/乾燥ユニットIV間の搬送にはユニット間湿潤搬送機構12,21、洗浄ユニットIII 内の各洗浄室14,16,18,20間の搬送にはユニット内湿潤搬送機構15,17,19を用いる。【効果】 ウェハの湿潤保持により研磨砥粒のシリカ粒子とSiO2 膜表面との間の共有結合の生成が防止され、パーティクル除去が容易となる。装置の占有面積が減少する。

Claim (excerpt)：

基板に研磨処理を施した直後から後処理が終了するまでの間、該基板の湿潤状態を維持することを特徴とする基板の研磨後処理方法。

IPC (5)：

H01L 21/304 351 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/304 321 ,  B08B 3/02 ,  H01L 21/68

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 特開平1-233734
  
• 特開平4-334025
  
• ウエ-ハ枚葉洗浄装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-227864   Applicant：株式会社エンヤシステム

Cited by examiner (2)

• 特開平1-233734
  
• 特開平4-334025