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J-GLOBAL ID：200903083801787620

イオンプレーティング装置およびその装置による薄膜形成方法

Inventor： 日比野 幸信 ,  松崎 封徳 ,  箱守 宗人 ,  倉内 利春
Applicant, Patent owner： 日本真空技術株式会社
Agent (1)： 飯阪 泰雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996342451
Publication number (International publication number)：1998158823
Application date： Dec. 06, 1996
Publication date： Jun. 16, 1998
Summary：

【要約】【課題】 ホローカソード放電によって金属を蒸発させ、必要な場合には反応ガスを導入して基板上に薄膜を形成させるイオンプレーティング装置において、ホローカソードが消耗され難く長時間運転が可能であり、かつ基板温度を低く維持して薄膜形成が可能な装置を提供すること。【解決手段】 LaB6 円筒41を内層とし、有底のTaチューブ45を外層とするホローカソード17の外周側にグラファイトの有底円筒である保護カバー48を取り付けてイオンプレーティング装置10に組み込む。保護カバー48で覆われているのでホローカソード17は生成するイオンのスパッタ作用を受けないことから長時間の連続放電が可能であり、保護カバー48が断熱材として作用するのでガラス基板21は高温度になるホローカソード17の輻射熱から隔離され温度が低く維持される。

Claim (excerpt)：

真空槽内に、蒸発材料を収容するハースと、放電によって前記蒸発材料を蒸発させるホローカソード(中空陰極)と、必要な場合に設置される反応ガスの導入手段と、前記蒸発材料またはその化合物の薄膜を形成させるべき基板とからなるイオンプレーティング装置において、前記ホローカソードが高融点金属からなる外層と、LaB6 (硼化ランタン)からなる内層とによって円筒状に形成され、かつ前記ホローカソードの外周側に、スパッタ率が前記高融点金属よりも小さい材料による円筒状の保護カバーが取り付けられており、前記薄膜の形成時において、前記ホローカソードがイオン等のスパッタ作用から保護されることにより損傷されず長時間の連続放電が可能であり、更には前記保護カバーが断熱材となって、前記基板が高温度の前記ホローカソードの輻射熱から隔離されることにより、前記基板の温度が低く維持されることを特徴とするイオンプレーティング装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平2-182875
  
• 特公平3-069991
  
• 特開平2-182875
  
• 特公平3-069991
  

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• イオンプレーテングのための大電流,長寿命陰極の研究