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J-GLOBAL ID：200903083868421426

半導体発光素子及びその製造方法

Inventor： 鈴木 真理子
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 則近 憲佑
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994236258
Publication number (International publication number)：1996102548
Application date： Sep. 30, 1994
Publication date： Apr. 16, 1996
Summary：

【要約】【目的】光の取り出し効率を向上させ、光の吸収による損失を防ぐことによって半導体発光素子の外部量子効率を向上させる。【構成】n型GaAs基板10上に、InGaAlP系材料からなるn型クラッド層11、アンドープ活性層12、p型クラッド層13を成長形成し発光層14とする。この発光層14上に形成された、発光層14或いは基板10に対してプラスに格子不整格子、表面が粗面化された光散乱層16を有する半導体発光素子。

Claim (excerpt)：

基板と、この基板上に形成された半導体からなる発光層と、この発光層上に形成され前記発光層を構成する半導体に対してプラスに格子不整合した半導体からなり、表面が格子歪により粗面化されている光散乱層とを具備することを特徴とする半導体発光素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-351646   Applicant：株式会社東芝
• 特開昭56-071986
  
• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-100215   Applicant：日亜化学工業株式会社

Cited by examiner (1)

• 半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-351646   Applicant：株式会社東芝