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J-GLOBAL ID：200903083900239414

放電プラズマ処理装置

Inventor：
下西 弘二

About 下西 弘二

, 
屋良 卓也

About 屋良 卓也

, 
上原 剛

About 上原 剛


Applicant, Patent owner：
積水化学工業株式会社

About 積水化学工業株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001298025
Publication number (International publication number)：2003100733
Application date： Sep. 27, 2001
Publication date： Apr. 04, 2003
Summary：
【要約】【課題】 高速処理及び大面積処理に対応可能でかつ、基材にダメージを与えず、異常放電の無い放電プラズマ処理装置の提供。【解決手段】 電圧印加電極と接地電極からなる対向電極を有し、前記対向電極の少なくとも一方の電極対向面が固体誘電体で被覆され、前記対向電極間に電界を印加することにより前記対向電極間に発生するグロー放電プラズマを、プラズマ発生空間外に配置された基材に導いて処理を行う処理装置であって、前記電圧印加電極と基材との間隔が、接地電極と基材との間隔よりも大きくなるように配置されることを特徴とする放電プラズマ処理装置。
Claim (excerpt)：
電圧印加電極と接地電極からなる対向電極を有し、前記対向電極の少なくとも一方の電極対向面が固体誘電体で被覆され、前記対向電極間に電界を印加することにより前記対向電極間に発生するグロー放電プラズマを、プラズマ発生空間外に配置された基材に導いて処理を行う処理装置であって、前記電圧印加電極と基材との間隔が、接地電極と基材との間隔よりも大きくなるように配置されることを特徴とする放電プラズマ処理装置。
IPC (6)：
H01L 21/31 ,  B01J 19/08 ,  C23C 16/505 ,  C23C 16/515 ,  C23C 16/517 ,  H05H 1/24
FI (6)：
H01L 21/31 C ,  B01J 19/08 H ,  C23C 16/505 ,  C23C 16/515 ,  C23C 16/517 ,  H05H 1/24
F-Term (49)：
4G075AA24 ,  4G075AA30 ,  4G075AA61 ,  4G075AA70 ,  4G075BC04 ,  4G075BC06 ,  4G075CA14 ,  4G075CA47 ,  4G075DA01 ,  4G075EC21 ,  4G075FB02 ,  4G075FC15 ,  4K030AA02 ,  4K030AA05 ,  4K030AA11 ,  4K030BA42 ,  4K030BA44 ,  4K030BA45 ,  4K030BA46 ,  4K030CA02 ,  4K030CA05 ,  4K030CA07 ,  4K030DA02 ,  4K030DA03 ,  4K030FA01 ,  4K030FA03 ,  4K030GA12 ,  4K030JA03 ,  4K030JA09 ,  4K030KA17 ,  4K030KA30 ,  4K030KA46 ,  5F045AA08 ,  5F045AB32 ,  5F045AC07 ,  5F045AC11 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AC17 ,  5F045AE25 ,  5F045AF03 ,  5F045BB16 ,  5F045EH04 ,  5F045EH08 ,  5F045EH13 ,  5F045EH18 ,  5F045EH19 ,  5F045EN04
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3) Cited by examiner (3)

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