プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

Inventor： , , , , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：西川惠清 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999303116
Publication number (International publication number)：2001006897
Application date： Oct. 25, 1999
Publication date： Jan. 12, 2001
Summary：

【要約】【課題】電極の寿命を長くすることができ、しかも、長期間の使用によっても被処理物の汚染が発生せず、さらに、放射高周波ノイズを低減することができるプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】片側が吹き出し口1として開放された筒状の反応管2と一対の電極3、4とを具備して構成される。該反応管2にプラズマ生成用ガスを導入する。一対の電極3、4の間に交流電界を印加することにより、大気圧下で反応管2内にグロー状の放電を発生させる。反応管2の吹き出し口1からジェット状のプラズマ5を吹き出して、流出するプラズマ5にて被処理物6をプラズマ処理するプラズマ処理装置に関する。反応管2の外側に一対の電極3、4を互いに対向させて設ける。電極3、4の両方がプラズマ5に直接曝されることが無くなる。

Claim (excerpt)：

片側が吹き出し口として開放された筒状の反応管と一対の電極とを具備して構成され、該反応管にプラズマ生成用ガスを導入し、電極の間に交流電界を印加することにより、大気圧下で反応管内にグロー状の放電を発生させ、反応管の吹き出し口からジェット状のプラズマを吹き出して、流出するプラズマにて被処理物をプラズマ処理するプラズマ処理装置において、反応管の外側に一対の電極を互いに対向させて設けて成ることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (3)：

H05H 1/30 , B23K 10/00 504 , H01L 21/3065

FI (3)：

H05H 1/30 , B23K 10/00 504 , H01L 21/302 B

F-Term (12)：

4E001LH09 , 4E001LH10 , 4E001ME05 , 4E001ME06 , 5F004AA14 , 5F004AA15 , 5F004AA16 , 5F004BA06 , 5F004BA20 , 5F004BB11 , 5F004BB13 , 5F004BC08

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (8)

大気圧吹き出し型プラズマ反応装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-272853 Applicant：小駒益弘, 岡崎幸子
表面処理方法及び装置、圧電素子の製造方法、インクジェット用プリントヘッドの製造方法、液晶パネルの製造方法、並びにマイクロサンプリング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-317025 Applicant：セイコーエプソン株式会社
成膜装置及び方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-046628 Applicant：株式会社荏原製作所, 畑村洋太郎

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Cited by examiner (9)

大気圧吹き出し型プラズマ反応装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-272853 Applicant：小駒益弘, 岡崎幸子
表面処理方法及び装置、圧電素子の製造方法、インクジェット用プリントヘッドの製造方法、液晶パネルの製造方法、並びにマイクロサンプリング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-317025 Applicant：セイコーエプソン株式会社
成膜装置及び方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-046628 Applicant：株式会社荏原製作所, 畑村洋太郎

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