Pat

J-GLOBAL ID：200903083914893630

窒化物半導体構造

Inventor： 西川 敦 ,  牧本 俊樹 ,  熊倉 一英 ,  赤坂 哲也
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (2)： 谷 義一 ,  阿部 和夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005326521
Publication number (International publication number)：2007134517
Application date： Nov. 10, 2005
Publication date： May. 31, 2007
Summary：

【課題】電流をSiC基板および各窒化物半導体層に通過させて動作させる電子デバイス(パワーエレクトロニクス用素子)において、低抵抗なバッファ層を実現すること。【解決手段】素子のバッファ層として、SiC基板(11)上にn型AlGaNバッファ層(12)を形成する。このバッファ層(12)は、SiC基板(11)との界面でのAl組成が2%以上10%以下で、当該界面から当該界面と対向する他方の表面(または、他層(13)との界面)に向かってそのAl組成が漸次減少するとともに、膜厚が150nm以上480nm以下、n型不純物のドーピング濃度が1×1019cm-3以上である。この構造により、表面が平坦でかつ低抵抗のバッファ層が得られ、SiC基板上の電子デバイスの低抵抗化が実現できる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

電流をSiC基板および該SiC基板上に複数層形成された窒化物半導体層に通過させて動作させる電子デバイスにおいて、 前記電子デバイスのバッファ層としてn型導電性SiC基板の表面上に形成されたn型導電性AlGaNバッファ層を有し、 前記バッファ層のAl組成が前記n型導電性SiC基板の界面で2%以上10%以下であって、該界面から他層との界面へ向かって漸次減少しているととともに、 前記バッファ層の膜厚が150nm以上480nm以下、 前記バッファ層のn型不純物ドーピング濃度が1×1019cm-3以上である ことを特徴とする窒化物半導体構造。

IPC (4)：

H01L 29/861 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/872 ,  H01L 29/47

FI (5)：

H01L29/91 F ,  H01L29/91 H ,  H01L21/28 301B ,  H01L21/28 301R ,  H01L29/48 M

F-Term (12)：

4M104AA04 ,  4M104BB02 ,  4M104BB07 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104FF13 ,  4M104FF17 ,  4M104GG02 ,  4M104GG04 ,  4M104GG18 ,  4M104HH20