Pat

J-GLOBAL ID：200903083939567303

半導体レーザ素子

Inventor： 大久保 典雄
Applicant, Patent owner： 古河電気工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996022173
Publication number (International publication number)：1997219557
Application date： Feb. 08, 1996
Publication date： Aug. 19, 1997
Summary：

【要約】【課題】 活性層にInGaAs歪み量子井戸を用い、CODを抑制した高出力の素子を提供する。【解決手段】 GaAs基板1上に、AlGaAsクラッド層3、InGaAs歪量子井戸層を有する活性層6およびAlGaAsクラッド層9を順次積層してなる半導体レーザ素子において、前記活性層6に隣接してGaAsP障壁層5、7を設ける。

Claim (excerpt)：

GaAs基板上に、AlGaAsクラッド層、InGaAs歪量子井戸層を有する活性層およびAlGaAsクラッド層を順次積層してなる半導体レーザ素子において、前記歪量子井戸活性層に隣接してGaAsP障壁層を設けたことを特徴とする半導体レーザ素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-361312   Applicant：アンリツ株式会社