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J-GLOBAL ID：200903083940409126

精密なワイドバンドギャップ半導体のエッチング

Inventor： マイケル・イー・バースキー ,  ラジンダー・アール・サンデュ ,  マイケル・ウォジトヴィクツ
Applicant, Patent owner： ティーアールダブリュー・インコーポレーテッド
Agent (1)： 社本 一夫 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000400722
Publication number (International publication number)：2001250809
Application date： Dec. 28, 2000
Publication date： Sep. 14, 2001
Summary：

【要約】【課題】 GaN材料を精密にエッチングする方法であって、改良された表面の滑らかさを提供でき、そしてn-p-nGaN材料を選択的にエッチングしてGaNHBTを製造できる方法である。【解決手段】 電気化学的電池がアノード、カソード、及び電解液から成る電気化学的電池においてアノードとしてGaN材料を形成し、そして上記GaN材料のエッチングを引き起こすのに十分なレベルまで上記アノードとカソードの間にバイアスを印加することを含むGaN材料のエッチング方法。上記GaN材料のエッチング速度は上記バイアスレベルを変えることにより制御できる。上記電池はエッチングプロセスの均一性を与える予め選択されたレベルの紫外線を付加的に照射される。本発明はn-p-nGaN材料からGaNHBTをエッチングするのに特に有益である。

Claim (excerpt)：

アノード、カソード、及び電解液を含む電気化学的電池においてアノードとしてGaN材料を形成し、そして上記電池を形成して上記GaN材料のエッチングを引き起こす:ことを含むGaN材料のエッチング方法。

IPC (3)：

H01L 21/3063 ,  H01L 29/737 ,  H01L 21/331

FI (2)：

H01L 21/306 L ,  H01L 29/72 H

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• GaN系半導体層のエッチング方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-055028   Applicant：古河電気工業株式会社