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J-GLOBAL ID：200903083983959022

半導体装置及びその製造方法

Inventor：
戸川 勤博

About 戸川 勤博


Applicant, Patent owner：
トヨタ自動車株式会社

About トヨタ自動車株式会社


Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999012056
Publication number (International publication number)：2000216341
Application date： Jan. 20, 1999
Publication date： Aug. 04, 2000
Summary：
【要約】【課題】 抵抗値制御性を向上可能な半導体装置及び製造方法を提供する。【解決手段】 この半導体装置は、隣接する少なくとも2つの導電層R1,R2と、この導電層R1,R2を覆う絶縁膜2とを備えている。絶縁膜2にはそれぞれの導電層R1,R2の一部領域が露出するように開口Op1,Op2が設けられている。導電層R1,R2の最も近接する一部領域間の最短距離D2は導電層間の最短距離D1よりも長く設定されている。したがって、特定の導電層R1の一部領域を切断した場合においても、その飛散物Q等が隣接する導電層R2に付着等する確率を低減させることができる。
Claim (excerpt)：
隣接する少なくとも2つの導電層と、前記導電層を覆う絶縁膜とを備えた半導体装置において、前記絶縁膜にはそれぞれの前記導電層の一部領域が露出するように開口が設けられており、前記導電層の最も近接する前記一部領域間の最短距離は前記導電層間の最短距離よりも長く設定されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3)：
H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/3205
FI (2)：
H01L 27/04 P ,  H01L 21/88 A
F-Term (23)：
5F033HH04 ,  5F033PP09 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ23 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR14 ,  5F033RR15 ,  5F033SS04 ,  5F033SS12 ,  5F033SS13 ,  5F033SS15 ,  5F033TT02 ,  5F033VV09 ,  5F033XX03 ,  5F038AR09 ,  5F038AR21 ,  5F038AV02 ,  5F038CA02 ,  5F038EZ15 ,  5F038EZ20
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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