水素センサ及び水素の検知方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (6)：棚井澄雄 , 志賀正武 , 高橋詔男 , 鈴木三義 , 村山靖彦 , 高柴忠夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004133339
Publication number (International publication number)：2005315700
Application date： Apr. 28, 2004
Publication date： Nov. 10, 2005
Summary：

【課題】本発明は常温で水素ガスの検知が可能であり、加熱の必要が無く、省電力構造にでき、一端水素検知が終了した後の繰り返し使用が可能であり、長期間使用することができる水素センサと水素の検知方法の提供を目的とする。【解決手段】本発明は、半導体2と、その表面の少なくとも一部に付設された水素吸収体3とからなる水素検出部を有し、水素吸収体の付設位置を挟んで、半導体に、水素吸収体によって導通されないよう配置された対になる電極5,6を具備してなり、対になる電極間で計測される水素吸収体への水素吸収の有無に対応する半導体の抵抗値変化から、水素の存在を検知可能とされてなる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

半導体と、該半導体の表面の少なくとも一部に付設された水素吸収体とからなる水素検出部を有し、前記水素吸収体の付設位置を挟んで、前記半導体に、前記水素吸収体によって導通されないよう配置された対になる電極を具備してなり、前記対になる電極間で計測される前記水素吸収体への水素吸収の有無に対応する前記半導体の抵抗値変化から、水素の存在を検知可能とされてなることを特徴とする水素センサ。

IPC (1)：

G01N27/12

FI (2)：

G01N27/12 B , G01N27/12 C

F-Term (13)：

2G046AA05 , 2G046BA01 , 2G046BA08 , 2G046BA09 , 2G046BB02 , 2G046BD03 , 2G046BD06 , 2G046FA01 , 2G046FB06 , 2G046FE13 , 2G046FE29 , 2G046FE31 , 2G046FE38

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

特開平3-259736号公報
水素ガス検知素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-316430 Applicant：株式会社クラベ
水素ガス検出素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-135344 Applicant：日本特殊陶業株式会社, 株式会社クラベ

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