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J-GLOBAL ID：200903084028461296

ドライエッチング方法

Inventor： 竹田 秀則 ,  福田 雅史 ,  中山 一郎 ,  長野 義信 ,  池田 哲
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992076464
Publication number (International publication number)：1993283379
Application date： Mar. 31, 1992
Publication date： Oct. 29, 1993
Summary：

【要約】【目的】 エッチング後にウエハ上の帯電を取り除く、あるいは、弱くするプラズマを発生させることで静電吸着による搬送ミスが発生しないドライエッチング方法を提供する。【構成】 発明のドライエッチング方法は、反応ガスのプラズマを発生させて半導体ウエハ8をエッチングする工程とは別に、同一の反応室1内で前述の工程よりも小さい高周波電力を両電極3,4間に印加してプラズマを発生させ半導体ウエハ8の帯電を除く工程を備えている。

Claim (excerpt)：

平行平板電極が設けられた反応室内の一方の電極に半導体ウエハを配置し、反応室内に反応ガスを導入するとともに各電極間に高周波電力を印加することによりプラズマを発生させ、反応室内の半導体ウエハをエッチングするドライエッチング方法において、反応ガスのプラズマを発生させて半導体ウエハをエッチングする工程とは別に、同一の反応室内で前述の工程よりも電力の小さい高周波を両電極間に印加してプラズマを発生させ半導体ウエハの帯電を除く工程を備えたことを特徴とするドライエッチング方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平3-240947
  
• ドライエツチング方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-275328   Applicant：富士通株式会社