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J-GLOBAL ID:200903084051860866
光電気セル
Inventor:
,
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Applicant, Patent owner:
,
Agent (1):
鈴木 俊一郎 (外3名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001369018
Publication number (International publication number):2003168496
Application date: Dec. 03, 2001
Publication date: Jun. 13, 2003
Summary:
【要約】【課題】 可視光以外に紫外、赤外領域を含めた広い波長領域にわたり光ネルギーの利用率が高く、かつ光電変換効率が高く、経済性に優れ、しかも固体電解質を使用した場合であっても、高光電変換効率を有する光電気セルを提供する。【解決手段】 表面に電極層(1)を有し、かつ該電極層(1)表面に光増感材を吸着した半導体膜(2)が形成されてなる基板と、表面に電極層(3)を有する基板とが、前記電極層(1)および電極層(3)が対向するように配置してなり、半導体膜(2)と電極層(3)との間に電解質層を設けてなる光電気セルにおいて、 半導体膜(2)が、基板上に形成された平均細孔径が2〜30nmの範囲にある多孔質半導体膜(2-A)とさらにその上に形成された平均細孔径が30〜400nmの範囲にある多孔質半導体膜(2-B)とからなり、少なくとも一方の基板および外基板上の電極層が透明性を有する光電気セル。前記半導体膜(2-A)が光増感材として紫外/短波長可視光吸収錯体(A)を含有し、前記半導体膜(2-B)が光増感材として長波長可視光/赤外線吸収錯体(B)を含有している。
Claim (excerpt):
表面に電極層(1)を有し、かつ該電極層(1)表面に光増感材を吸着した半導体膜(2)が形成されてなる基板と、表面に電極層(3)を有する基板とが、前記電極層(1)および電極層(3)が対向するように配置してなり、半導体膜(2)と電極層(3)との間に電解質層を設けてなる光電気セルにおいて、半導体膜(2)が、基板上に形成された平均細孔径が2〜30nmの範囲にある多孔質半導体膜(2-A)とさらにその上に形成された平均細孔径が30〜400nmの範囲にある多孔質半導体膜(2-B)とからなり、少なくとも一方の基板および外基板上の電極層が透明性を有していることを特徴とする光電気セル。
IPC (2):
FI (2):
H01M 14/00 P
, H01L 31/04 Z
F-Term (15):
5F051AA14
, 5F051BA11
, 5F051CB13
, 5F051FA03
, 5F051GA03
, 5H032AA06
, 5H032AS06
, 5H032AS16
, 5H032BB05
, 5H032BB10
, 5H032CC16
, 5H032EE07
, 5H032EE17
, 5H032HH04
, 5H032HH07
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
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光電極及びこれを備えた色素増感型太陽電池
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-160978
Applicant:株式会社豊田中央研究所, アイシン精機株式会社
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光電極及びこれを備えた色素増感型太陽電池
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-160962
Applicant:株式会社豊田中央研究所, アイシン精機株式会社
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