抵抗素子を用いたデータ記憶素子及びその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：村井隆
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002080074
Publication number (International publication number)：2003281878
Application date： Mar. 22, 2002
Publication date： Oct. 03, 2003
Summary：

【要約】【課題】抵抗素子、とくに磁気抵抗効果素子からのデータの読み出しの安定化と、量産時に生じる磁気抵抗効果素子等の抵抗値のばらつきの問題を解消し、高性能で量産性のあるMRAM等を作製する。【解決手段】データ読み出し用の少なくとも2本の制御導体のうちの1本となるビット線11はスッチング素子となるFET15のゲートに接続し、前記制御導体の他の1本となるワード線10は磁気抵抗効果素子13の一端に接続し、磁気抵抗効果素子13の他端がFET15のドレインに接続し、FET15のソースは固定抵抗素子17の一端に接続し、固定抵抗素子17の他端は接地された構成である。

Claim (excerpt)：

抵抗素子の電気的抵抗値変化を利用したデータ記憶素子であって、データ読み出し用の少なくとも2本の制御導体のうちの1本はスッチング素子となるトランジスタのゲート又はベースに接続し、前記制御導体の他の1本は前記抵抗素子の一端に接続し、前記抵抗素子の他端が前記トランジスタのドレイン又はコレクタに接続し、前記トランジスタのソース又はエミッタは固定抵抗の一端に接続し、前記固定抵抗の他端は接地又は特定の電位にされていることを特徴とする抵抗素子を用いたデータ記憶素子。

IPC (4)：

G11C 11/14 , G11C 11/15 , H01L 27/105 , H01L 43/08

FI (4)：

G11C 11/14 A , G11C 11/15 , H01L 43/08 Z , H01L 27/10 447

F-Term (5)：

5F083FZ10 , 5F083GA11 , 5F083LA03 , 5F083LA12 , 5F083LA16

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

磁性体メモリ及びその駆動方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-091977 Applicant：キヤノン株式会社

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