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J-GLOBAL ID：200903084058614267

ホトレジスト、ポリマーおよびマイクロリソグラフィの方法

Inventor：
アンドリュー エドワード フェイリング

About アンドリュー エドワード フェイリング

, 
ジェラルド フェルドマン

About ジェラルド フェルドマン


Applicant, Patent owner：
イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー

About イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー


Agent (1)： 谷 義一 (外2名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2000571312
Publication number (International publication number)：2002525683
Application date： Sep. 21, 1999
Publication date： Aug. 13, 2002
Summary：
【要約】極紫外線、遠紫外線、および近紫外線によるマイクロリソグラフィ用ホトレジストおよび関連する方法を開示する。実施形態によってこのホトレジストは、(a)少なくとも1個のエチレン性不飽和化合物は多環式であり、少なくとも1個のエチレン性不飽和化合物はエチレン性不飽和炭素原子に共有結合している少なくとも1個のフッ素原子を含むことを特徴とする少なくとも1個のエチレン性不飽和化合物から誘導された反復単位を含むフッ素含有コポリマーと、(b)少なくとも1個の光活性成分とを含む。別の実施形態では、このホトレジストは、フッ素原子、ペルフルオロアルキル基およびペルフルオロアルコキシ基からなる群から選んだ少なくとも1個の原子または基を有する少なくとも1個の多環式エチレン性不飽和化合物から誘導された反復単位を含むフッ素含有コポリマーであって、少なくとも1個の原子または基は、環構造中に含有されており、少なくとも1個の共有結合している炭素原子によって、エチレン性不飽和化合物の各エチレン性不飽和炭素原子から離れている炭素原子に共有結合していることを特徴とするコポリマーを含む。このホトレジストは、極/遠UV並びに近UVにおける高い透明性、高いプラズマエッチング耐性を有し、極紫外線、遠紫外線、近紫外線(UV)領域、特に365nm以下の波長におけるマイクロリソグラフィにとって有用である。新規なフッ素含有コポリマーもまた開示している。
Claim (excerpt)：
(a)少なくとも1個のエチレン性不飽和化合物から誘導された反復単位を含むフッ素含有コポリマーであって、少なくとも1個のエチレン性不飽和化合物は多環式であり、かつ少なくとも1個のエチレン性不飽和化合物はエチレン性不飽和炭素原子に共有結合している少なくとも1個のフッ素原子を含むことを特徴とするフッ素含有コポリマーと (b)少なくとも1個の光活性成分と、を含むホトレジストであって、前記フッ素含有コポリマーは芳香族官能基を含有せず、前記ホトレジストを365nmより小さい波長を有する紫外線の像露光によりレリーフ像を生成するように現像可能にするのに十分な官能基を含有することを特徴とするホトレジスト。
IPC (10)：
G03F 7/039 601 ,  C08F214/18 ,  C08F216/14 ,  C08F218/04 ,  C08F232/08 ,  C08K 5/00 ,  C08L 27/12 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/004 503 ,  H01L 21/027
FI (10)：
G03F 7/039 601 ,  C08F214/18 ,  C08F216/14 ,  C08F218/04 ,  C08F232/08 ,  C08K 5/00 ,  C08L 27/12 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/004 503 B ,  H01L 21/30 569 E
F-Term (46)：
2H025AA02 ,  2H025AA09 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB08 ,  2H025CB14 ,  2H025CB41 ,  2H025CC03 ,  2H025CC17 ,  2H025CC20 ,  2H025FA17 ,  4J002BD121 ,  4J002BD131 ,  4J002BD141 ,  4J002BD151 ,  4J002BE041 ,  4J002EB116 ,  4J002EV296 ,  4J002FD027 ,  4J002FD148 ,  4J002FD206 ,  4J002FD207 ,  4J100AA02R ,  4J100AC23P ,  4J100AC24P ,  4J100AC26P ,  4J100AD02R ,  4J100AE02Q ,  4J100AE38P ,  4J100AE39P ,  4J100AG02Q ,  4J100AG04R ,  4J100AJ02R ,  4J100AL03R ,  4J100AR11Q ,  4J100AR21Q ,  4J100AR22Q ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100JA38 ,  5F046LA12
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1) Cited by examiner (1)

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