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J-GLOBAL ID：200903084078391175

電界効果トランジスタ

Inventor： 國弘 和明
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994225129
Publication number (International publication number)：1996088353
Application date： Sep. 20, 1994
Publication date： Apr. 02, 1996
Summary：

【要約】【目的】 エピタキシャル層と半絶縁性基板との界面のトラップに起因したデバイス寄生効果を抑制する。【構成】 半絶縁性化合物半導体基板上にエピタキシャル成長によって形成された電界効果トランジスタにおいて、エピタキシャル層の半絶縁性基板11に接する領域が、活性層とは逆の導電型の半導体層13で形成されており、その不純物濃度が1×1017cm-3以上でかつ完全に空乏化する厚さとなっている。

Claim (excerpt)：

半絶縁性化合物半導体基板上にエピタキシャル成長によって形成された電界効果トランジスタにおいて、エピタキシャル層の半絶縁性基板に接する領域が、活性層とは逆の導電型の半導体層で形成されており、その不純物濃度が1×1017cm-3以上でかつ完全に空乏化する厚さであることを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (3)：

H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平2-174247
  
• 電界効果トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-145010   Applicant：横河電機株式会社