半導体加速度センサ

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：碓氷裕彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993322348
Publication number (International publication number)：1995176767
Application date： Dec. 21, 1993
Publication date： Jul. 14, 1995
Summary：

【要約】【目的】静電容量式加速度センサよりも小型化が可能なMISFET型加速度センサにおいて、可動電極を常に半導体基板に対して平行に保つことのできるMISFET型加速度センサを提供する。【構成】可動電極13は、格子状部材で構成されたマス131とそれを支えている4本の梁部132,ゲート電極133a,133bから構成されており、また梁部132は絶縁膜12を介してP型半導体基板10上に固定されている。従って可動電極13に上下左右の加速度が加わった場合においても、常に可動電極13とP型シリコン基板10を平行に保つことができる。これにより固定電極15a,16a(15b,16b)に流れる電流の変化を所望の値にでき、極めて正確な加速度検出を行うことができる。

Claim (excerpt)：

半導体基板と、前記半導体基板と所定の間隔を隔てて支えられたゲート電極部と、前記半導体基板における前記ゲート電極部の両側に不純物拡散層を形成することで構成され、加速度による前記ゲート電極部との相対的位置の変化により前記不純物拡散層間に流れる電流が変化するソース・ドレイン部とを備えたMISFET型の半導体加速度センサにおいて、前記ゲート電極部と前記半導体基板の間に生じるねじれを防止するねじれ防止手段を備えたことを特徴とする半導体加速度センサ。

IPC (2)：

H01L 29/84 , G01P 15/12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

シリコン加速度センサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-305814 Applicant：株式会社日立製作所
特開平3-094168
特開平1-163620

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