磁気ランダム・アクセス・メモリおよびその製作方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：大貫進介 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000122085
Publication number (International publication number)：2000353791
Application date： Apr. 24, 2000
Publication date： Dec. 19, 2000
Summary：

【要約】【課題】磁気エレメントのための改良されかつ新規の方法、さらに詳しくは磁気抵抗性ランダム・アクセス・メモリ(MRAM)の使用を提供することを目的とする。【解決手段】 MRAM装置は、メモリ・エレメントおよびそのメモリ・エレメントを管理する回路を有する。その回路は、トランジスタ(12a),デジット線(29)等を有し、基板上に集積される。その回路は、まずCMOSプロセスで製作され、その後磁気メモリ・エレメント(43,44)は、磁気ブランケット層の一部(42b)を絶縁材料に変換することにより画定される。磁気ブランケット層は、磁気層(40,42)および磁気層によって挟まれた非磁気層(41)を含むが、伝導層(34)上に堆積される。絶縁あるいは不活性部(42b)は複数のメモリ・エレメント(43,44)を画定しかつ分離する。

Claim (excerpt)：

少なくとも1つの磁気エレメントを製作する方法において、前記方法は、磁気エレメント・ブランケット層を堆積する段階と、前記磁気エレメント・ブランケット層(40-42)を覆うマスク層を堆積する段階と、前記磁気エレメント・ブランケット層を覆う前記マスク層(51)の一部を除去し、前記磁気エレメント・ブランケット層の一部を露出させる段階と、前記磁気エレメント・ブランケット層の前記露出部分を変換して、絶縁性不活性部(42b)および活性部を形成する段階からなり、前記活性部は前記少なくとも1つの磁気エレメントを画定し、前記不活性部は誘電絶縁物を画定することを特徴とする方法。

IPC (4)：

H01L 27/10 451 , G11B 5/39 , G11C 11/14 , H01L 43/08

FI (4)：

H01L 27/10 451 , G11B 5/39 , G11C 11/14 A , H01L 43/08 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

磁気記憶装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-248159 Applicant：株式会社東芝
メモリセル装置
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2000-515275 Applicant：インフィネオンテクノロジースアクチエンゲゼルシャフト
特開平1-251656

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