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J-GLOBAL ID：200903086628467444

メモリセル装置

Inventor： ジークフリート シュヴァルツル ,  ローター リッシュ
Applicant, Patent owner： インフィネオン テクノロジース アクチエンゲゼルシャフト
Agent (1)： 矢野 敏雄 (外4名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2000515275
Publication number (International publication number)：2001519582
Application date： Sep. 28, 1998
Publication date： Oct. 23, 2001
Summary：

【要約】メモリセル装置はワードライン(WL)及びこれらのワードライン(WL)に対して横方向に延在するビットライン(BL1、BL2)を有する。それぞれワードラインのうちの1つとビットラインのうちの1つとの間に、磁気抵抗効果を有するメモリ素子(S1、S2)が接続されている。これらのメモリ素子(S1、S2)は少なくとも2つの層に互いに上下に配置されいる。

Claim (excerpt)：

メモリセル装置において、 互いに基本的に平行に延在する複数のワードライン及び互いに基本的に平行に延在する複数のビットラインが設けられており、前記ワードラインは前記ビットラインに対して横方向に延在し、 メモリ素子には磁気抵抗効果を有する層構造が設けられており、前記メモリ素子はそれぞれ前記ワードラインのうちの1つと前記ビットラインのうちの1つとの間に配置されており、 前記メモリ素子は少なくとも2つの層に配置されており、該少なくとも2つの層は互いに上下に配置されている、メモリセル装置。

IPC (3)：

G11C 11/15 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/08

FI (3)：

G11C 11/15 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 27/10 447

F-Term (13)：

5F083FZ10 ,  5F083GA05 ,  5F083GA12 ,  5F083HA02 ,  5F083JA36 ,  5F083JA40 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16 ,  5F083MA06 ,  5F083MA20 ,  5F083NA01 ,  5F083NA08 ,  5F083PR40

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 情報記録媒体とその記録方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-229532   Applicant：セイコーエプソン株式会社
• 磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果型ヘッド及びメモリー素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-330010   Applicant：松下電器産業株式会社