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J-GLOBAL ID:200903084166985654

磁気記録媒体用低透磁率スパッタリングCo系ターゲット材の製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 椎名 彊
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002079529
Publication number (International publication number):2002363615
Application date: Jun. 24, 1996
Publication date: Dec. 18, 2002
Summary:
【要約】【課題】 薄膜の磁気特性を劣化させることなく、高性能な薄膜の作製を可能にした磁気記録媒体用低透磁率スパッタリングCo系ターゲット材の製造方法を提供すること。【解決手段】 CO-Cr-Ta系合金のガスアトマイズ粉末を金属製の容器に充填・封入し、これを加圧圧縮用金型内で高温高圧プレスして固化成形した後、冷却途中にて800〜1250°Cの温度範囲で低透磁率化のための熱処理を行い、冷却し、所定の形状に機械加工する磁気記録媒体用低透磁率スパッタリングCo系ターゲット材の製造方法。
Claim (excerpt):
Co-Cr-Ta系合金のガスアトマイズ粉末を金属製の容器に充填・封入し、これを加圧圧縮用金型内で高温高圧プレスして固化成形した後、冷却途中にて800°C〜1250°Cの温度で低透磁率化のための熱処理を行ってから、室温まで冷却し、所定の形状に機械加工することを特徴とする磁気記録媒体用低透磁率スパッタリングCo系ターゲット材の製造方法。
IPC (4):
B22F 3/15 ,  C22C 19/07 ,  C23C 14/34 ,  G11B 5/851
FI (4):
B22F 3/15 M ,  C22C 19/07 M ,  C23C 14/34 A ,  G11B 5/851
F-Term (15):
4K018AA10 ,  4K018BA04 ,  4K018BB10 ,  4K018EA16 ,  4K018FA01 ,  4K018FA08 ,  4K018KA29 ,  4K029BA24 ,  4K029BC06 ,  4K029BD11 ,  4K029CA05 ,  4K029DC04 ,  4K029DC09 ,  5D112FA04 ,  5D112FB06
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
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