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J-GLOBAL ID:200903084168820407
ガス検出器
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
喜多 俊文 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002160138
Publication number (International publication number):2003344341
Application date: May. 31, 2002
Publication date: Dec. 03, 2003
Summary:
【要約】【課題】 シリコン基板に形成され高温度で使用されるガスセンサの電極を、気密性を確保しながら外部に引き出す。【解決手段】 シリコン基板2とガラス基板1との間の空間にガス流路を形成しガスセンサを設けるために、シリコン基板2上面をエッチングして絶縁層5を形成し、電極パターニングによって電極4を設ける。電極パターンの縁の絶縁層5に生じる段差が接合面6にかからないように、ガラス基板1側にくぼみ9を形成し、電極4に対応する位置に貫通穴8をあけ電極3を設ける。接合面7、6を基準にして、シリコン基板2上の電極表面の高さと、ガラス基板1上の電極表面の高さの和が正になるよう加工して、シリコン基板2とガラス基板1を陽極接合し、ガスセンサの電極4を、気密性を確保しながら外部に引き出す。
Claim (excerpt):
二つの基板を陽極接合して、両基板の間にガス流路の空間を形成し、その空間にガスセンサが設けられガスセンサの電極を外部に引き出しその信号によりガスを検出するガス検出器であって、第一の基板上にガスセンサからの電極と、この電極に相対して第二に基板上に設けられ中心部に貫通する穴を有する形状の電極とを設け、第一の基板上の陽極接合面を基準として外側に突出する方向を正とした電極表面の高さと、第二の基板上の陽極接合面を基準として外側に突出する方向を正とした電極表面の高さとの和が正であるような前記両基板を陽極接合することで、第一の基板上の前記電極を第二の基板の前記電極の貫通穴を通して外側に取り出すことができるようにしたことを特徴とするガス検出器。
IPC (4):
G01N 27/12
, G01N 25/18
, G01N 27/16
, G01N 27/18
FI (4):
G01N 27/12 B
, G01N 25/18 J
, G01N 27/16 B
, G01N 27/18
F-Term (23):
2G040AA02
, 2G040AB09
, 2G040BA23
, 2G040DA02
, 2G040EA02
, 2G040EB02
, 2G046AA01
, 2G046BA01
, 2G046BA09
, 2G046BB02
, 2G046BE03
, 2G046BG01
, 2G046EB01
, 2G046FB02
, 2G046FE39
, 2G060AA01
, 2G060AE19
, 2G060AF07
, 2G060AG06
, 2G060AG08
, 2G060AG10
, 2G060BA03
, 2G060BA05
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
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特開平2-045754
-
湿度センサ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-165753
Applicant:セイコーエプソン株式会社
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