Pat

J-GLOBAL ID：200903084443302632

オキシ窒化ジルコニウム及び/又はハフニウム・ゲ-ト誘電体

Inventor： ロバート エム.ウォレス ,  リチャード エイ.ストルツ ,  グレン ディ.ウィルク
Applicant, Patent owner： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
Agent (1)： 浅村 皓 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999200829
Publication number (International publication number)：2000058832
Application date： Jul. 14, 1999
Publication date： Feb. 25, 2000
Summary：

【要約】【課題】 ゲート誘電体の厚さの問題を考慮した電界効果デバイス。【解決手段】 高誘電率オキシ窒化ジルコニウム(又はハフニウム)・ゲート誘電体を有する電界効果半導体デバイス及びその形成方法を開示する。このデバイスは、その中に形成される半導電チャネル領域24を有するシリコン基板20を含む。この基板の上にオキシ窒化ジルコニウム・ゲート誘電体層36が形成され、その後導電ゲート38が続く。オキシ窒化ジルコニウム・ゲート誘電体層36は、二酸化シリコンの比誘電率より著しく高い比誘電率を有する。

Claim (excerpt)：

集積回路上に電界効果デバイスを製造する方法であって、単結晶シリコン基板を提供し、基板の上にオキシ窒化金属ゲート誘電体層を形成し、この金属は、ハフニウム、ジルコニウム、及びそれらの混合物の群から選択され、ゲート誘電体層に重なる導電ゲートを形成することを含む方法。

IPC (5)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/318 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (3)：

H01L 29/78 301 G ,  H01L 21/318 C ,  H01L 29/78 371

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特開昭62-009666
  
• タンタル系高誘電体材料及び高誘電体膜の形成方法並びに半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-072504   Applicant：ソニー株式会社
• 特開昭57-050466
  
• 特開昭56-161669
  
• 特開昭64-050428