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J-GLOBAL ID：200903084490352079

金属膜の選択的形成方法

Inventor： 伊藤 仁
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995172480
Publication number (International publication number)：1997022896
Application date： Jul. 07, 1995
Publication date： Jan. 21, 1997
Summary：

【要約】【課題】 絶縁膜に形成された接続孔又はコンタクト孔の底部下地との良好な電気的接触を実現するとともに、選択性の高い金属の選択的形成方法を提供することを目的とする。【解決手段】 接続孔を有する絶縁膜が表面に形成され、接続孔を介して金属又は半導体が露出する半導体基板を、不活性ガス又は水素ガスのプラズマにさらす工程、前記半導体基板を、弗素を除くハロゲン原子を含むガスの雰囲気にさらす工程、及び前記接続孔を介して露出する金属又は半導体上に選択的に金属を堆積する工程を具備することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

接続孔を有する絶縁膜が表面に形成され、接続孔を介して金属又は半導体が露出する半導体基板を、不活性ガスのプラズマにさらす工程、前記半導体基板を、弗素を除くハロゲン原子を含むガスの雰囲気にさらす工程、及び前記接続孔を介して露出する金属又は半導体上に選択的に金属を堆積する工程を具備する金属膜の選択的形成方法。

IPC (4)：

H01L 21/3065 ,  C23C 16/02 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/285

FI (6)：

H01L 21/302 N ,  C23C 16/02 ,  C23F 4/00 A ,  C23F 4/00 E ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/302 F

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平2-132825
  
• 金配線の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-287215   Applicant：日本電気株式会社
• 薄膜形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-140880   Applicant：川崎製鉄株式会社
• 特開平2-132825