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J-GLOBAL ID：200903043955939723

薄膜形成方法

Inventor： 竹安 伸行 ,  河野 有美子 ,  山本 浩 ,  近藤 英一 ,  太田 与洋
Applicant, Patent owner： 川崎製鉄株式会社
Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993140880
Publication number (International publication number)：1994349791
Application date： Jun. 11, 1993
Publication date： Dec. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、CVD法を用いた半導体装置の製造方法において、塩素系ガスを用いたプラズマエッチングによる清浄化処理をおこなった際に残留塩素が殆ど残らない製造方法を提供することを目的とする。【構成】 基板上の金属を堆積させようとする所望の領域を塩素系ガスを用いたプラズマエッチングにより清浄化処理する清浄化処理工程と、原料ガスを供給し、所望の領域に化学気相成長法によって金属を堆積させて金属膜を形成する金属膜堆積工程とを有する薄膜形成方法において、清浄化処理工程の前に、基板を加熱処理する加熱処理工程をさらに有することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

基板上の金属を堆積させようとする所望の領域を塩素系ガスを用いたプラズマエッチングにより清浄化処理する清浄化処理工程と、原料ガスを供給し、前記所望の領域に化学気相成長法によって金属を堆積させて金属膜を形成する金属膜堆積工程とを有する薄膜形成方法において、前記清浄化処理工程の前に、前記基板を加熱処理する加熱処理工程をさらに有することを特徴とする薄膜形成方法。

IPC (4)：

H01L 21/302 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/3205

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平4-286115
  
• 特開平2-063118
  
• プラズマ洗浄法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-224167   Applicant：セイコーエプソン株式会社
• 表面処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-181435   Applicant：株式会社東芝