半導体装置の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山川政樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994310262
Publication number (International publication number)：1996167657
Application date： Dec. 14, 1994
Publication date： Jun. 25, 1996
Summary：

【要約】【目的】セルフアライン構造でかつ通常の装置を用いて高いスループットを維持したままで、拡散層の種類に関係なく同一の膜厚を有するシリサイドを形成できるようにすることを目的とする。【構成】シリコン基板1全面にSi+ を10KeVで0.8×1014cm-2注入し、n型拡散層6の一部が非晶質層8とする。しかし、p型拡散層7には非晶質層は形成されず、Si+ が注入されているSi+ 注入層9が形成される。

Claim (excerpt)：

相補型のMOSトランジスタの形成において、半導体基板上にゲート電極を形成した後、pチャネルトランジスタのソース・ドレイン領域となるp型拡散層と、nチャネルトランジスタのソース・ドレイン領域となるn型拡散層とを形成する工程と、前記半導体基板上にイオンを注入することで前記n型拡散層のみを非晶質化する工程と、前記p型拡散層上と前記非晶質化したn型拡散層上とに金属を堆積して熱処理することで前記金属からなるシリサイド層を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5)：

H01L 21/8238 , H01L 27/092 , H01L 21/22 , H01L 21/265 , H01L 21/28 301

FI (3)：

H01L 27/08 321 F , H01L 21/265 H , H01L 21/265 Q

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

半導体集積回路装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-083970 Applicant：日本電気株式会社
特開平2-003917
特開平3-021015

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