応力緩和された積層構造を形成する方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：上野英夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999238154
Publication number (International publication number)：2000091632
Application date： Aug. 25, 1999
Publication date： Mar. 31, 2000
Summary：

【要約】【課題】基板上に、熱膨張係数及び/又は格子定数がその基板と大幅に相違する成長層を成長させるための改良された方法を提供すること。【解決手段】サファイア基板12上にGaN成長層10を成膜される。成膜は十分高温で行われるが、それが完全に冷却される前にサファイア基板12側からGaN成長層10に向けて紫外光14を照射する。このとき、GaN成長層10の基板12側に位置する一部の分解層11は、紫外光14を受けて分解されるので、両層間に生じるひずみ応力が緩和又は除去される。両層の界面の一部を成すアイランド部13に対しては紫外線14は照射されず、これによりGaN成長層10のサファイア基板12に対する十分な接着性が維持される。

Claim (excerpt)：

熱膨張係数及び/又は格子定数の異なる第1の層と第2の層との積層構造を形成する方法であって、前記第1の層を前記第2の層の上に成膜する工程と、前記第1の層及び前記第2の層の界面で、前記第1の層及び前記第2の層の少なくとも一方が含まれる一部を分解する工程とを有することを特徴とする積層構造を形成する方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (7)

特開平4-320070
窒化物系化合物半導体発光素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-206279 Applicant：株式会社東芝
結晶基板の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-022014 Applicant：徳島大学長, 松下寿電子工業株式会社

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Cited by examiner (7)

特開平4-320070
窒化物系化合物半導体発光素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-206279 Applicant：株式会社東芝
結晶基板の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-022014 Applicant：徳島大学長, 松下寿電子工業株式会社

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Article cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

Damage-free separation of GaN thin films from sapphire substrate

Cited by examiner (1)

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