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J-GLOBAL ID：200903084636927397

強誘電体キャパシタ及びその製造方法

Inventor： 鄭 一 燮 ,  柳 寅 敬 ,  鄭 智 元 ,  セシュ ビー.デス
Applicant, Patent owner： 三星電子株式会社
Agent (1)： 小塩 豊
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995253838
Publication number (International publication number)：1996213560
Application date： Sep. 29, 1995
Publication date： Aug. 20, 1996
Summary：

【要約】【課題】 履歴特性、残留分極(Pr)、金属電極と伝導性酸化膜の接触性、抗電界(Ec)及び履歴曲線形態が優れている強誘電体キャパシタ及びその製造方法を提供することである。【解決手段】 強誘電体キャパシタの製造に際して、SiO2/Si基板1,2上に形成された金属電極3,4,8と強誘電体層6との界面に、強誘電体キャパシタの膜疲労及び漏洩電流特性を改善するために、酸化膜5,7を形成することである。

Claim (excerpt)：

強誘電体キャパシタの製造に際して、SiO2/Si基板上に形成された金属電極と強誘電体層との界面に、強誘電体キャパシタの膜疲労及び漏洩電流特性を改善するために、酸化膜を形成することを特徴とする強誘電体キャパシタの製造方法。

IPC (8)：

H01L 27/10 451 ,  C30B 29/16 ,  H01G 4/33 ,  H01G 7/06 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (3)：

H01G 4/06 102 ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 651

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 強誘電体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-167860   Applicant：セイコーエプソン株式会社