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J-GLOBAL ID：200903084723273999

発光素子

Inventor：
山田 元量

About 山田 元量


Applicant, Patent owner：
日亜化学工業株式会社

About 日亜化学工業株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000048880
Publication number (International publication number)：2001237456
Application date： Feb. 21, 2000
Publication date： Aug. 31, 2001
Summary：
【要約】【課題】本発明は、窒化物半導体層を有する発光素子、特に発光ピーク波長が530nm以上の発光を行う発光素子の発光出力を向上することを目的とする。【解決手段】上記目的を達成するために、本発明の発光素子は、 n型半導体層、活性層およびp型半導体層から構成される発光素子であって、前記活性層は、下部障壁層、井戸層、第1の上部障壁層、第2の上部障壁層が順に積層され、前記下部障壁層、前記第1の上部障壁層、前記第2の上部障壁層はそれぞれ組成の異なる窒化物半導体から構成される。さらに、本発明の発光素子は、前記第1の上部障壁層はInzAl1-zN(0≦z≦1)である構成とすることによって、井戸層および第2の上部障壁層のそれぞれの層に対して格子定数不整合を緩和し、かつ井戸層に対して十分なバンドギャップエネルギー差を得ることができる。
Claim (excerpt)：
n型半導体層、活性層およびp型半導体層から構成される発光素子であって、前記活性層は、下部障壁層、井戸層、第1の上部障壁層、第2の上部障壁層が順に積層され、前記下部障壁層、前記第1の上部障壁層、前記第2の上部障壁層はそれぞれ組成の異なる窒化物半導体から構成される発光素子。
IPC (2)：
H01L 33/00 ,  H01S 5/343
FI (2)：
H01L 33/00 C ,  H01S 5/343
F-Term (19)：
5F041AA11 ,  5F041AA40 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F073AA51 ,  5F073AA74 ,  5F073AA77 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073DA05 ,  5F073DA35 ,  5F073EA02 ,  5F073EA29
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)
  • 半導体量子井戸光素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-250319   Applicant：富士通株式会社
  • 半導体発光素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-136359   Applicant：日本電気株式会社

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