脚柱型記憶ノード用コンタクトプラグ及びその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：佐野静夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000281096
Publication number (International publication number)：2001196563
Application date： Sep. 18, 2000
Publication date： Jul. 19, 2001
Summary：

【要約】【課題】脚柱型記憶ノード用コンタクトプラグ及びその製造方法を提供する。【解決手段】 (a)基板を提供する工程、(b)基板上に第1絶縁層を形成する工程、(c)第1絶縁層に埋込コンタクトを少なくとも1つ形成する工程、(d)一連の堆積及びエッチングによって、埋込コンタクト内の基板上に導電層とバリヤー層とを形成する工程(導電層とバリヤー層とを足した高さは埋込コンタクトの深さよりも小さい)、(e)第1絶縁層及びバリヤー層上に順応的なシード層を形成する工程、(f)第2絶縁層を形成し、これに埋込コンタクトと連接するようなホールを形成する工程、(g)シード層上にホールを埋める記憶ノードを形成する工程、及び(h)第1絶縁層上に位置する第2絶縁層及びシード層を除去する工程からなる方法によって、脚柱型記憶ノード及びそのコンタクトプラグを製造する。

Claim (excerpt)：

少なくとも一つの埋込コンタクトを備える絶縁層と、前記埋込コンタクト内に位置する導電層と、前記導電層上に形成されるバリヤー層と、前記バリヤー層上に形成され、前記埋込コンタクトの開口部で膨らむシード層と、前記シード層上に形成された脚柱型の記憶ノードとからなることを特徴とするコンタクトプラグ。

IPC (10)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01G 4/33 , H01G 4/12 394 , H01G 4/12 397 , H01G 4/12 400 , H01G 13/00 391 , H01L 21/28 301 , H01L 21/3065 , H01L 21/768

FI (9)：

H01G 4/12 394 , H01G 4/12 397 , H01G 4/12 400 , H01G 13/00 391 J , H01L 21/28 301 A , H01L 27/10 621 Z , H01G 4/06 102 , H01L 21/302 C , H01L 21/90 D

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

半導体集積回路装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-123927 Applicant：株式会社日立製作所
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-066336 Applicant：ソニー株式会社

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