半導体ヘテロ接合構造、およびその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：長門侃二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998058537
Publication number (International publication number)：1999260732
Application date： Mar. 10, 1998
Publication date： Sep. 24, 1999
Summary：

【要約】【課題】 p型層からn型層へのp型ドーパントの拡散を抑制することができるのでp型層におけるキャリア濃度が高く、GaN系化合物半導体から成るHBT用の素材として有用な半導体ヘテロ接合構造とその製造方法を提供する。【解決手段】 III-V族化合物半導体のエピタキシャル成長層であるp型層6とn型層4,7の間に、同じくIII-V族化合物半導体のエピタキシャル成長層である高濃度水素含有層5a,5bがそれぞれ介装されている。

Claim (excerpt)：

III-V族化合物半導体のエピタキシャル成長層であるp型層とn型層の間に、同じくIII-V族化合物半導体のエピタキシャル成長層である高濃度水素含有層が介装されていることを特徴とする半導体ヘテロ接合構造。

IPC (3)：

H01L 21/205 , H01L 21/331 , H01L 29/73

FI (2)：

H01L 21/205 , H01L 29/72

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

化合物半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-221816 Applicant：株式会社東芝
非晶質光半導体及びその製造方法並びに光半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-295449 Applicant：富士ゼロックス株式会社

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